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硬金、软金、闪金、脉冲镀金、化学镀金（ENIG）、高速连续镀金与金厚分级方案。
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ENIG 黑盘预防工艺
通过浸金窗口、镍槽洁净与磷含量管控预防黑盘，配合可焊性抽检，降低虚焊失效风险。
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ENIG 化学镀金（PCB 焊盘）
ENIG 化学镀镍浸金，焊盘平整可焊，金厚 0.05–0.15μm、镍厚 3–6μm，适合细间距器件与 PCB 表面处理。
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ENIG 厚度控制工艺
ENIG 厚度控制聚焦金厚 0.05–0.15μm、镍厚 3–6μm 与磷含量 7%–11% 的稳定，用多位置抽测与过程能力保一致。
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酸性闪金工艺（防氧化打底）
酸性闪金在基材上沉积极薄金层（0.025–0.1μm），改善润湿与防氧化，常作焊接或后续镀层的打底。
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闪金打底工艺（主镀层过渡）
闪金作硬金/软金前的打底层，改善润湿与结合连续性，降低主金层孔隙与脱皮风险，省金且稳。
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PCB 薄闪金工艺
PCB 焊盘薄闪金（0.02–0.1μm）改善可焊与防氧化，常配合 ENIG 或作为低成本可焊表面，适合消费板。
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Au-Co 硬金电镀工艺（高耐磨接触区）
Au-Co 合金硬金电镀，维氏硬度 HV130–200，适合高插拔连接器与工业接插件接触区，耐磨性优于软金。
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Au-Ni 硬金电镀工艺（高韧性接触区）
Au-Ni 合金硬金电镀，维氏硬度 HV120–180，韧性优于 Au-Co，适合既需耐磨又忌脆性的接触区。
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厚金硬金接触区工艺（1.0–3.0μm+）
厚金硬金接触区工艺，金厚 1.0–3.0μm+，面向测试探针、半导体夹具与军工航天高可靠接触，以寿命实测为判据。
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高速镀金产线方案
高速镀金整线交钥匙方案，覆盖前处理、镀金、后处理与数字化追溯，按批量与形状定制速度与均流设计。
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高速卷对卷镀金
卷对卷（reel-to-reel）高速镀金整体方案，含放卷、前处理、镀金、后处理联动，适合连续端子与精密带材。
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高速带材连续镀金
卷对卷高速带材镀金，线速度 1–10 m/min、高电流密度，适合引线框架与端子带大批量生产。
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脉冲镀金（低孔隙）工艺
脉冲镀金通过关断期重分布离子、抑制枝晶，孔隙率低于直流镀，适合高可靠与深孔复杂件。
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脉冲镀金均匀性工艺
脉冲镀金通过关断期抹平浓度差，显著缩小棱边与平面厚度差，适合阵列端子与高精度厚度分布要求。
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脉冲硬金工艺
脉冲 + Au-Co/Au-Ni 硬金组合，兼顾 HV130–200 耐磨与低孔高均匀，适合高可靠接触与厚金累积场景。
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高纯金电镀工艺
高纯金（≥99.99%）电镀，极低杂质、界面洁净，适合射频接触、医疗与高可靠焊接场景，可焊性极佳。
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纯软金电镀工艺（高可焊）
近纯金软金电镀，维氏硬度 HV60–120，纯度≥99.9%，可焊性与绑定可靠性优，适合焊接与引线键合面。
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软金引线键合工艺
面向超声/热压引线键合的软金工艺，纯度高、界面脆相少，键合拉力与可靠性优，适合半导体与微电子。
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金厚分级方案（基础档）
金厚分级基础档 0.1/0.3μm 对应消费电子接触区，按插拔与寿命反推，薄金靠镍底兜底。
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金厚分级方案（工业档）
金厚分级工业档 0.5–1.27μm 对应工业/车规连接器，硬金+镍底+低孔，按插拔寿命反推。
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金厚分级方案（军工档）
金厚分级军工档 1.0–3.0μm+ 对应军工航天极端可靠，厚金硬金+低孔镍底，以寿命与盐雾双验证。
